3月25日，国家自然科学基金委员会在 2026 中关村论坛年会开幕式上，发布2025年度 “中国科学十大进展”。

　　手机用久变卡、电脑打开大文件迟缓，根源往往是存储芯片速度成为瓶颈。针对这一痛点，复旦大学周鹏、刘春森团队攻克下一代存储核心技术，研制出全球首颗二维 - 硅基混合架构闪存芯片，彻底改变传统存储受限局面。

　　世界首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。左侧为半导体晶体管从原型器件到第一款CPU。右侧为二维闪存器件结构、8英寸流片CMOS晶圆、二维-硅基混合架构闪存芯片

　　该团队此前研发的 “破晓（PoX）” 皮秒闪存器件，速度高达 400 皮秒，比现有闪存快约 100 万倍，是迄今全球最快的半导体电荷存储技术，相关成果已于 2025 年 4 月发表于《自然》。

　　为让颠覆性器件真正走向工程化应用，团队进一步研发具有完全自主知识产权的异质集成技术，创新性提出 “原子芯片（ATOM2CHIP）” 系统集成框架。凭借原子尺度制备工艺，将仅 1—3 个原子厚度的二维存储器件与 CMOS 芯粒 “共形粘附” 集成，攻克二维材料纤薄脆弱、难以大规模集成的难题，最终实现94.3% 的超高芯片良率。

　　该芯片支持8位指令操作与32位并行处理，构建起二维电路与 CMOS 电路协同运行的完整体系，为原子级芯片集成提供全新技术范式，大幅缩短颠覆性存储技术从实验室到产业化的周期。

　　这项成果不仅标志着我国在下一代存储核心技术领域掌握主动权，未来更有望让手机脱离网络依赖，本地直接运行 AI 大模型，推动信息技术迈入全新高速时代。